
[已验证]IP2366-EVM适用于开发的方案评估板
简介
适用于IP2366-LED与IP2366-I2C的IP2366评估版,全测试点与IO引出,可方便的进行产品开发和性能测试,也可直接使用;已验证可以使用,附带规格书与I2C版本的寄存器手册。
简介:适用于IP2366-LED与IP2366-I2C的IP2366评估版,全测试点与IO引出,可方便的进行产品开发和性能测试,也可直接使用;已验证可以使用,附带规格书与I2C版本的寄存器手册。开源协议
:CC BY-NC-SA 3.0
(未经作者授权,禁止转载)描述
IC简介:
IP2366 是一款集成AFC/FCP/PD2.0/PD3.0/PD3.1 等输入输出快充协议和同步升降压转换器的锂电池充放电管理芯片,充放电功率高达140W(PD3.1);
IP2366 的高集成度与丰富功能,只需一个电感实现同步降升压功能,在应用时仅需极少的外围器件,有效减小整体方案的尺寸,降低BOM 成本。
IP2366 支持2/3/4/5/6 节串联电芯,可通过外接电阻设置选择电池串联节数;IP2366 支持外接电阻可设置电池类型,充满电压为3.65V/4.1V/4.2V/4.35V/4.4V
IP2366 内置IC 温度、电池NTC 温度和输入电压控制检测环路,可以根据识别到的充电器功率,智能调节充电电流。
IP2366 支持低功耗模式,进入低功耗模式后,待机电流降低到5μA。进入低功耗模式后,插入充电器可自动唤醒充电,需要短按按键来唤醒对外放电;
IP2366 内置14bit ADC,可以精确测量输入电压和电流,电池电压和电流等。可通过I2C 获取IP2366 充放电电压、充电电流等信息。
IP2366 支持4 个电量指示灯,可显示电量和充放电状态。
主要器件&复刻注意事项:
请认真阅读以下注意事项,包含个人建议与复刻经验,和以下部分重复的问题不再回答;如有问题请友善交流,谢谢。
1.主芯片IP2366在某宝的英集芯代理与ICGO等多家商家均有售,分BZ(LED)与I2C版本两种型号,此EVM为通用板,两种型号均可使用。在使用BZ版本时,I2C相关电路可以不用焊接,使用I2C版本时,LED显示相关电路无需焊接。
2.关于C口的VBUS开关MOS是否NC,使用电阻代替,个人意见是影响不大,对产品有认证要求的可以使用,而追求低成本的可以使用0欧电阻或一坨锡短接代替;有人说MOS管内阻会影响效率,但实测下来,使用SWT40N45D3 MOS管,满载热成像下,MOS发热不明显,对效率的影响不大。
3.此EVM中,并未对C口相关信号线路进行ESD防护,在实际产品的应用中,建议加入由低阻值电阻,TVS管组成的ESD电路。
4.对于功率H桥的开关管,鉴于效果较好的英飞凌BSC059N04LS6在市面上假货较多且正品价格昂贵,较难以买到;推荐可以倾向于使用国产MOS管代替,推荐型号有:APG068N04G,HGQ065NE4A,AP75N04NF,AGM6014A等;价格相对低廉且效果尚可,实测使用AP75N04,室温20度,空气散热,28V输入转16.8V,7.9A输出温升在85度左右(详细数据待补充测量);同时需要注意的是,选用功率管时需考量其Ciss值,不宜仅以Id为参考,Id较大的管子通常Ciss越大,也就越不容易驱动,对于英集芯的IC,其官方建议Ciss应小于1000pF。
5.对于功率H桥开关节点上的RC吸收电路,个人意见是作用并不是很大;根据官方推荐值,实测反而在吸收时,电阻上会消耗相当的功率,导致电阻发热严重,甚至在较低负载时温度将超过MOS,影响低载效率,一般应用时可以忽略。
6.对于栅极驱动电阻,实测在使用AP75N04时,1.5欧可获得较好的栅极驱动波形;有示波器的朋友们可以根据自己选用的MOS管做适当调整,没有的朋友们使用0欧电阻短接即可,此时与驱动电阻并联的二极管无需焊接。
7.对于输入输出滤波电容,可以参照官方原理图,也可根据自身需求做适当增减,原理图中所示为借用封装和参考值;实测确实可以获得不错的纹波表现,但是有些过大,可以根据自身需求做增减。
8.对于功率电感,可根据自身需求选用,该版本EVM使用了2213与1770封装;实测情况下,2213封装的22UH一体成型电感,DCR为8.8mΩ,感值为22.9uH,127W输入时,温度约为50℃;可以根据工况选用更低感值的电感如10uH,6.8uH的1770或1265电感均可;电感参数的考量优先级为:DCR>Irms>uH;同时要关注下电感的温升电流,要大于工况下的持续电流,避免大功率时进入磁饱和。同时,大压差情况下,电感不建议选择过小(不建议低于6.8uH)。
9.实际测量时,使用下面的条件,不知为何,电子负载拉功率只能拉到126W左右的功率,电池端电流只能拉到7.9A左右,不知是硬件设计问题还是其它问题,希望各位大佬可以帮忙解答以下,感激不尽!!!
10.待补充。
实测数据:(待补充)
环境参数:
室温:
输入:酷泰科15号GaN充电头,有PD3.1 EPR 140W挡位;使用酷泰科原装6A CC线
输出:四串,4.2V,VBAT端电压为16.8V
测量仪器:
USB功率表:POWER-Z KM003C
示波器:SDS804HD(和谐为824)
电源:ETM3010P
电子负载:DCL8003+
热成像仪:C210
LCR电桥:VC4092C
(由于现在过年,设备不在身边,仅有部分图片,其余图片待补充)
功率电感:
PD140W挡位测试:
该工况下,大致转换效率在92.91%(由于是XT30转接,且没有使用远端线损补偿功能,实际效率应高于该计算效率)
都看到这里了,如果觉得对你有帮助的话,不妨点一个赞吧!
最后的最后,感谢搜集和提供资料的群友们!
设计图

BOM


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