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智能车竞赛 MP6528双驱

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简介

智能车竞赛用有刷双驱,可替代DRV8701

简介:智能车竞赛用有刷双驱,可替代DRV8701

开源协议

BSD License

创建时间:2024-05-29 12:21:14更新时间:2025-01-10 09:38:23

描述

2025.1.10更新:经反馈,因信号输入并未下拉可能导致上电误启动,建议在EN1_IN,PH1_IN,EN2_IN,PH2_IN处各加入10KΩ下拉电阻。如图所示无标题.png
智能车竞赛可用的有刷双驱,使用逐飞推荐的东芝MOS低内阻大电流MOS管

感谢同学反馈!

二、设计摘要

使用与门与非门的组合实现控制信号由EN/DIR转换为PWMA/B,支持24V电机

相较于DRV8701的优势:

  1. MP6528通过涓流充电电路确保在高边驱动时维持充足的栅极驱动电压,提供更稳定的性能,可以达到100%占空比。
  2. MP6528的可调死区时间控制提供了更灵活和精细的保护设置,适应不同应用需求,使其能在驱动信号频率较高时良好工作。

三、硬件电路组成

3V3:使用一个LDO将输入电压转换为3.3V,驱动LED作为电源指示灯,同时为MP6528的ENX和nSLEEP引脚提供高电平信号。

逻辑门部分:MP6528驱动信号输入方式为PWMA/B来控制电机A/B两端电平为高或低,在此种驱动模式下如果需要控制正反转的转速则需要两个PWM资源,为节省主控MCU的PWM资源,改为输入EN/DIR信号(EN信号占空比设置转速,DIR高低电平设置方向),通过逻辑门组合将EN/DIR信号转换为PWMA/B信号,进而控制MP6528。

驱动部分:MP6528控制H桥的MOS,DT引脚的电阻阻值可以设置死区时间,nFAULT引脚拉低时代表有异常情况出现。

四、流程图

逻辑门流程图

MP6528逻辑门示意图.png

四、实物展示

6528(1).jpg

五、注意事项

如需MOS换型,BSTX与SHX(X为A/B)间的电容需要注意容值。
容值(nF)应当小于1000nF大于8倍Qg(nC),Qg为MOS的Total Gate Charge。

六、芯片资料

官网介绍地址:https://www.monolithicpower.cn/cn/products/motor-drivers-and-motor-controllers/bldc-pre-drivers-and-integrated-solutions/mp6528.html

Datasheet下载地址:https://www.monolithicpower.cn/cn/documentview/productdocument/index/version/2/document_type/Datasheet/lang/en/sku/MP6528/document_id/3835/

七、MPS大学计划

MPS中国大学计划开启于2018年,紧跟国家“新工科建设”
的战略方向,从前沿应用技术出发,基于经典教材,致力于高
等教育理论与实际的有机结合,投身中国“卓越工程师培养”
大计。目前MPS已在全国多所高校开展了各项教学科研及竞赛
支持活动,深受教师与同学的好评。
在MPS官网可免费申请MP6528样片。

扫码加入MPS大学计划

MPS大学计划.png

设计图

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