
智能车竞赛 MP6528双驱
简介
智能车竞赛用有刷双驱,可替代DRV8701
简介:智能车竞赛用有刷双驱,可替代DRV8701开源协议
:BSD License
描述
2025.1.10更新:经反馈,因信号输入并未下拉可能导致上电误启动,建议在EN1_IN,PH1_IN,EN2_IN,PH2_IN处各加入10KΩ下拉电阻。如图所示
智能车竞赛可用的有刷双驱,使用逐飞推荐的东芝MOS低内阻大电流MOS管
感谢同学反馈!
二、设计摘要
使用与门与非门的组合实现控制信号由EN/DIR转换为PWMA/B,支持24V电机
相较于DRV8701的优势:
- MP6528通过涓流充电电路确保在高边驱动时维持充足的栅极驱动电压,提供更稳定的性能,可以达到100%占空比。
- MP6528的可调死区时间控制提供了更灵活和精细的保护设置,适应不同应用需求,使其能在驱动信号频率较高时良好工作。
三、硬件电路组成
3V3:使用一个LDO将输入电压转换为3.3V,驱动LED作为电源指示灯,同时为MP6528的ENX和nSLEEP引脚提供高电平信号。
逻辑门部分:MP6528驱动信号输入方式为PWMA/B来控制电机A/B两端电平为高或低,在此种驱动模式下如果需要控制正反转的转速则需要两个PWM资源,为节省主控MCU的PWM资源,改为输入EN/DIR信号(EN信号占空比设置转速,DIR高低电平设置方向),通过逻辑门组合将EN/DIR信号转换为PWMA/B信号,进而控制MP6528。
驱动部分:MP6528控制H桥的MOS,DT引脚的电阻阻值可以设置死区时间,nFAULT引脚拉低时代表有异常情况出现。
四、流程图
逻辑门流程图
四、实物展示
五、注意事项
如需MOS换型,BSTX与SHX(X为A/B)间的电容需要注意容值。
容值(nF)应当小于1000nF大于8倍Qg(nC),Qg为MOS的Total Gate Charge。
六、芯片资料
七、MPS大学计划
MPS中国大学计划开启于2018年,紧跟国家“新工科建设”
的战略方向,从前沿应用技术出发,基于经典教材,致力于高
等教育理论与实际的有机结合,投身中国“卓越工程师培养”
大计。目前MPS已在全国多所高校开展了各项教学科研及竞赛
支持活动,深受教师与同学的好评。
在MPS官网可免费申请MP6528样片。
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设计图

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