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隔离式mos管驱动电路

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简介

mos管驱动电路方案验证板

简介:mos管驱动电路方案验证板

开源协议

CC BY-ND 4.0

创建时间:2024-07-24 19:44:43更新时间:2024-09-14 10:52:01

描述

      MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种场效应晶体管,可分为增强型和耗尽型,其中P沟道和N沟道各有两种类型,但实际应用中主要使用增强型的N沟道MOS管和P沟道MOS管。因此,通常所说的NMOS和PMOS指的就是这两种类型。与双极晶体管相比,一般认为MOS管导通不需要电流,只需GS电压超过一定值即可实现导通。

而很多MOS管的开启阈值电压为4~5V,一般MCU的电压是3.3V,显然是不能让mos管导通的,这里使用隔离电源模块B0515S来产生15V的电压,一般VGS在10~15V时就可以认为mos管完全导通(不要超过20V),用光耦隔离信号信号输入,解决了共地问题,从而更好的保护MCU。

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