LTC2208与其周边电路

综述：LTC2208：流水线分级式ADC130Msps 16bits

差分模拟量输入，differental范围：可选1.5Vpp或2.25Vpp

CMOS或 LVDS数字输出

差分时钟输入，较灵活，可以LVPECL，LVCMOS和别的（满足手册范围即可）

参考灵活，可使用内部或外部参考源

配置简单，使用外部电阻而非SPI

注意：建议将手册完完整整认真读一遍，并结合本篇参考，一切以手册为准

这芯片的手册写的特别好，可以学到很多东西

配置引脚定义

接上拉0电阻：默认高电平

接下拉0电阻：默认低电平

未定的标黄，红色为我的参考配置

配置（CMOS）

1.SENSE(Pin 1): VDD:内部参考(V1.0)

2.5/1.25：外部参考2.5/1.25源(V1.1)

2.SHDN(Pin 19): 拉高：关闭 数字输出为高阻态（用下拉电阻）

3.DITH(Pin 20)：高电平使能内部dither，难决定，先接地失能

4. LVDS pin(Pin 61): 接地

5. MODE (Pin 62)：见手册p15(排列组合)（数据输出格式与时钟输入占空比）

2/3Vdd使用内部PLL，与补码数据格式

6. RAND (Pin 63)：低电平正常输出，高电平D1-D15均与D0(LSB)异或（减小数字信号耦合影响）高电平

7. PGA (Pin 64)：低电平2.25Vpp输入，高电平1.5Vpp输入.

手册P17:术语定义

手册P25:低电平输入时抖动（dither）

时钟（ENC+/ENC-）输入

ENC+ (Pin 12): Positive Differential Encode Input. The sampled analog input is held on the rising edge of ENC+. Internally biased to 1.6V through a 6.2k resistor. Output data can be latched on the rising edge of ENC+.

ENC– (Pin 13): Negative Differential Encode Input. The sampled analog input is held on the falling edge of ENC–. Internally biased to 1.6V through a 6.2k resistor. Bypass to ground with a 0.1μF capacitor for a single-ended Encode signal.

The encode inputs have a common mode range of 1.2V to VDD.

若输入的占空比不是50,则mode必须为1/3或2/3VDD

最慢1Msps

V1.0/V1.1：均采用外部CMOS输入经SN65LVELT22DR转LVPECL

时间特性

手册还有经典时序图

LVDS数字输出

D0-/D0+: LSB

D0–/D0+ to D15–/D15+：要求差分100欧终端电阻

D15+/D15– is the MSB

CLKOUT–/CLKOUT+ (Pins 39 and 40): LVDS Data Valid 0utput. Latch data on the rising edge of CLKOUT+, falling edge of CLKOUT–.

见 手册p23

CMOS数字输出

引脚定义与LVDS不同，注意

DA0-DA15

内部有源端50欧电阻，外部可不加

需挂载 < 10pF容性负载（ALVCH16373）（应该可不管它）

V1.0 :40pin 2.54mm排针兼容PYNQ2

V1.1: 40pin 2.54mm排针兼容黑金与淘宝RIGUKE的zynq 7020板子

模拟输入级

两版均采用直流耦合

V1.0采用一级全差分运放，输入阻抗50欧，电阻需使用精密电阻（电阻计算参考ADI的全差分运放工具）

V1.1采用两级，先经过跟随器（或同相比例放大器）后接全差分运放，不需使用精密电阻且可选输入高阻或任意阻抗

参考源

V1.0是用的内部

V1.1使用外部高精度ADR4525B

建议最好使用外部，因为该ADC功率较大（1.5W）,温升很严重（最坏情况下达到90度，建议使用温升小的外部参考源）

补充：各种逻辑电平

参考b站up主TerayTech 《终端电阻》的视频

板级电源方案

该方案适配各种对于电源纹波精度要求高的场合，同时做到了高效率。

（注：请看V1.1的，V1.0设计存在非常大问题）

（注：不可实际用于产品，有很多是用的拆机片）

选型方案

LDO

正转正LDO:

TPS74401：低成本高性能

LT1963(小封装固定3.3/2.5/1.8，大封装可调)：1.5A若要5V则仅可用大封装（ES:SOIC-8）

ADP7118（小封装5/3.3/2.5/1.8）：200mA精密 （ADP151也行，便宜，但没有5V的）

负转负LDO :

ADP7182/ADP7183（小封装）: 精密场合（7183有大电流500mA但是待找）

LT3015(大封装): 大电流1.5A

LT1964（小封装）：200mA

DCDC

在板级上使用MPS集成内部电感的MPM模块是首选（外部电路简单）

高压输入：用MPM36xx(4.5~21V) MPM35xx(36V)

<6V输入：用MPM38xx

若需更高功率建议使用常规的内部开关管buck芯片，如TPS54360（可至3A）

负电源

用反相电荷泵是最简单的 MAX889(200mA)

若要大功率：用buck-boost拓扑的开关电源（常规buck芯片一般支持，如TPS54360）

具体方案（V1.1）

依据：1.数字芯片可直接用开关电源供电，而模拟芯片建议最好用LDO供电

2.5V转3.3V 直接使用LDO在高功率需求时效率过低且发热严重，所以建议经过DCDC5V转3.6V左右后经过低压降LDO再转3.3V

由于功率冗余还外接提供5.5V输出口

具体请见原理图

V1.1已验证，基本功能正常，噪声，失真等参数待测

复刻注意：

1.使用了X2Y电容，若不使用，请为全差分运放添加滤波电容

2.有些芯片不常见，但基本能在淘宝买到